Articles

داروهای ضد افسردگی و تاثیرات آنها بر عملکرد مغز با موضوع اصلی اختلال وسواس فکری-عملی(OCD)

چکیده

اختلال وسواس فکری-عملی(OCD) 2 تا 3 درصد از مردم جهان را تحت تأثیر قرار می‌دهد. اگرچه داروهای ضد افسردگی درمان دارویی استاندارد هستند، اما تأثیر آنها بر مغز افراد مبتلا به OCD هنوز به طور کامل مشخص نشده است. بررسی های سیزده تحقیق تصویربرداری عصبی نشان داد که پس از درمان با داروهای ضد افسردگی، تشدید مغناطیسی ساختاری، تغییرات حجم تالاموس، آمیگدال و هیپوفیز در بیماران ایجاد شده است. در نهایت، تصویربرداری تشدید مغناطیسی عملکردی، تغییرات احتمالی در جسم مخطط شکمی، قشر پیشانی و قشر پیش پیشانی را برجسته کرد. تعداد کم مطالعات و حجم نمونه‌ها، مدت زمان کوتاه پیگیری، داروهای ضد افسردگی مختلف، مناطق مورد علاقه متغیر و نمونه‌های ناهمگن، استحکام یافته‌های بررسی حاضر را محدود می‌کند. در نتیجه، بررسی ما نشان می‌دهد که درمان با داروهای ضد افسردگی با تغییرات مغزی در افراد مبتلا به OCD مرتبط است و این نتایج ممکن است به تعمیق دانش ما در مورد پاتوفیزیولوژی OCD و مکانیسم‌های مغزی زمینه‌ساز اثرات داروهای ضد افسردگی کمک کند.

اختلال وسواس فکری-عملی (OCD) یک اختلال روانی شدید است که با افکار ناخواسته و مزاحم (وسواس) و رفتارهای تکراری (اجباری) مشخص می‌شود.

شیوع OCD در طول عمر بین ۲ تا ۳ درصد است .( شروع OCD در مردان زودتر اتفاق می‌افتد و OCD با شروع کودکی عمدتاً در مردان مشاهده می‌شود. از سوی دیگر، شروع OCD در زنان بیشتر پس از بلوغ رخ می‌دهد و اغلب با علائم افسردگی همراه است افکار کفرآمیز شایع‌ترین تظاهرات در مردان هستند، در حالی که نگرانی‌های بهداشتی بیشتر در زنان مشاهده می‌شود. سن پایین در شروع بیماری، پاسخ کم یا عدم پاسخ به داروها، مدت طولانی بیماری و شدت علائم، عوامل کلیدی مرتبط با پیامدهای نامطلوب هستند.

درمان‌های مرسوم برای اختلال وسواس فکری-عملی شامل درمان شناختی-رفتاری (CBT) و داروهای ضد افسردگی، از جمله مهارکننده‌های انتخابی بازجذب سروتونین (SSRIs) و داروهای ضد افسردگی سه حلقه‌ای (TCAs) است. با این حال، شواهد نشان می‌دهد که تا 62٪ از بیماران ممکن است از علائم باقی مانده رنج ببرند. بنابراین، درک آسیب‌شناسی روانی زمینه‌ای و اثرات تعدیلی درمان‌های دارویی بر مغز برای روشن شدن مکانیسم‌های عملکرد داروهای ضد افسردگی در این بیماران بسیار مهم است. مطالعات تصویربرداری عصبی، از جمله تصویربرداری تشدید مغناطیسی ساختاری (sMRI)، تصویربرداری تانسور انتشار (DTI) و تصویربرداری تشدید مغناطیسی عملکردی (fMRI)، ناهنجاری‌های متعددی را در مدار قشر-استریاتو-تالامو-قشر (CSTC) در بیماران مبتلا به اختلال وسواس فکری-عملی (OCD) نشان داده‌اند، شبکه‌ای از مغز که مسئول تنظیم اجرای حرکت، یادگیری مبتنی بر پاداش، مهار عمل و کنترل تکانشگری است.

نتایج داشنمندان نشان داد که بیماران مبتلا به اختلال وسواس فکری-عملی که با ۱۲ هفته فلوکستین، فلووکسامین، سرترالین یا پاروکستین تحت درمان قرار گرفتند، مشکل کمتری در مغز میانی راست و جسم مخطط چپ و مغز میانی راست خود داشتند. این تغییرات ریزساختاری با علائم بالینی بیماران مرتبط نبود.

نتایج ما، اگرچه به طور مداوم تکرار نشده‌اند، نشان می‌دهند که استفاده از داروهای ضد افسردگی می‌تواند با تغییرات ساختاری مغز در بیماران مبتلا به OCD مرتبط باشد، که عمدتاً در تالاموس، جسم مخطط، آمیگدال، OFC و مغز میانی قرار دارند. علاوه بر این، مطالعات عملکردی شواهدی را نشان دادند که نشان می‌دهد اثر داروهای ضد افسردگی ممکن است در فعالیت OFC و rs-FC در جسم مخطط شکمی، FPN، DMN و مدار CSTC منعکس شود.

نتیجه‌گیری

تغییرات گزارش‌شده در ساختار و عملکرد مغز ممکن است یک پیامد کلی درمان با داروهای ضدافسردگی یا یک پدیده ثانویه از پاتوژنز خود OCD باشد. به عنوان مثال، افزایش اتصال شکنج گیجگاهی چپ، اینسولا و پوتامن در افراد سالم پس از مصرف SSRI گزارش شده است.

علاوه بر این، تغییرات در فعال‌سازی قشر جلوی مغز به طور مداوم در افسردگی پس از درمان SSRI گزارش شده است، مشابه آنچه در OCD مشاهده شده است. در مجموع، مطالعات آینده روی جمعیت‌های مختلف، از جمله افراد مبتلا به OCD و سایر اختلالات روانپزشکی، همراه با افراد سالم، برای روشن شدن اثرات خاص اختلال داروهای ضدافسردگی بر مغز مورد نیاز است. علاوه بر این، مطالعات تصویربرداری عصبی آینده بر روی جمعیت‌هایی با حجم نمونه بزرگتر مورد نیاز است تا درک عمیق‌تری از تغییرات ساختاری و عملکردی مغز و ارتباط آنها با علائم بالینی پس از درمان ضد افسردگی در بیماران مبتلا به اختلال وسواس فکری-عملی (OCD) به دست آید.

نویسندگان: هما سید میرزایی، نیکو بیان، محمد امین دباغ اوحدی، Giulia Cattarinussi، Fabio Sambataro

سال انتشار:1403

منبع:Elsevier

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *